Peroxyde d'hydrogène bon pour les coupes

Peroxyde d'hydrogène

Le principe du peroxyde d'hydrogène bon pour les coupes:

 

Réaction d'oxydation:
Lorsque H ₂ O ₂ se décompose, des radicaux hydroxyles (· OH) et de l'oxygène (O ₂) sont générés. Ces espèces réactives de l'oxygène peuvent oxyder et décomposer des composés organiques ou certains matériaux inorganiques (tels que les métaux et les matériaux semi-conducteurs).
- Par exemple, dans la gravure de la tranche de silicium, H ₂ O ₂ fonctionne en synergie avec de l'acide hydrofluorique (HF) pour générer du dioxyde de silicium (SiO ₂) à la surface de l'oxyde de silicium, qui est ensuite dissous par HF pour atteindre une coupe précise.
Décomposition catalytique:
-Les ions métalliques (tels que Fe ² ⁺, Cu ² ⁺) ou les enzymes (comme la catalase) peuvent accélérer la décomposition de H ₂ O ₂, libérant une grande quantité d'oxygène et de chaleur. Cette réaction intense peut endommager localement la structure du matériau et convient à la microfabrication ou au traitement tissulaire biologique.
Gravure sélective:
-Dans les processus semi-conducteurs, H ₂ O ₂ est souvent mélangé avec d'autres acides tels que l'acide sulfurique et l'acide hydrofluorique. En ajustant la concentration et la température, les couches de matériaux spécifiques (telles que la photorésistaire et les films métalliques) sont gravées sélectivement pour obtenir une coupe à motifs de haute précision.

Les zones d'application du peroxyde d'hydrogène sont bonnes pour les coupes:

Microélectronique et fabrication de semi-conducteurs:
Retrait de la photorésistaire:
H ₂ O ₂ est mélangé avec de l'acide sulfurique pour former une "solution de piranha" (H ₂ So ₄: H ₂ O ₂), qui décolle efficacement de la photorésistaire et nettoie la surface de la tranche.
Gravure en métal:
Dans le traitement des circuits imprimés (PCB), H ₂ O ₂ et l'acide chlorhydrique (HCL) sont mélangés pour gravir les couches de cuivre, formant des modèles de circuits.
Traitement de la plaquette de silicium:
Utilisé pour le nettoyage et la gravure de la surface des plaquettes de silicium, en éliminant les contaminants ou les couches d'oxyde.

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